[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810747374.8 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110707010B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的多个分立鳍部；形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构露出的衬底上形成层间介质层，层间介质层至少覆盖鳍部的部分侧壁；去除栅极结构两侧部分厚度的鳍部，剩余鳍部和层间介质层围成凹槽；在凹槽内形成源漏掺杂层。本发明在形成层间介质层之后形成凹槽，随后在凹槽内形成源漏掺杂层；在形成凹槽之前，通常会在栅极结构两侧的鳍部侧壁上形成掩膜层，通过在形成凹槽之前形成层间介质层的方式，使层间介质层对掩膜层起到支撑作用，从而降低掩膜层发生坍塌的概率，进而有利于提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，包括衬底以及凸出于所述衬底的多个分立鳍部；/n形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；/n在所述栅极结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层至少覆盖所述鳍部的部分侧壁；/n去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部，剩余鳍部和所述层间介质层围成凹槽；/n在所述凹槽内形成源漏掺杂层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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