[发明专利]一种功率器件保护芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810746985.0 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108922925B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 钟丽兰 | 申请（专利权）人： | 深圳市物芯智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；第一导电类型的埋层，形成于所述第一外延层内；第二导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面；第二导电类型的第三外延层，贯穿所述第二外延层并与所述埋层连接；第一导电类型的第一注入区，形成于所述第二外延层内且与所述埋层及所述第三外延层相连接；介质层，所述介质层包括位于所述第二外延层上表面的第一部分与所述第一部分连接并贯穿所述第二外延层延伸至所述第一外延层的第二部分；多晶硅层，贯穿所述第一部分延伸至所述第三外延层内。本发明可提高器件性能降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 保护 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面，所述衬底的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度；第一导电类型的埋层，形成于所述第一外延层内，且所述埋层的至少部分表面裸露于所述第一外延层上表面，所述埋层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度；第二导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面；第二导电类型的第三外延层，贯穿所述第二外延层并与所述埋层连接；介质层，包括贯穿所述第二外延层延伸至所述第一外延层的第一部分；多晶硅层，形成于所述第三外延层内并延伸至所述第三外延层上表面；第一电极，分别与所述第二外延层和所述多晶硅层连接；第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。
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