[发明专利]一种制备大面积连续单层单晶石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810744460.3 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110699749B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 武斌;张家宁;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02;C25F3/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积连续单层单晶石墨烯薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：对单晶铜进行电化学抛光，得到单晶铜基底，再在所述单晶铜基底上进行石墨烯的生长，得到所述连续单层单晶石墨烯薄膜。高温下金属铜表面会附着许多的硅氧化合物，严重影响石墨烯的生长，而电化学抛光可以去除该物质，使铜表面变得平整洁净。进而再用该单晶铜生长石墨烯可得到取向相同的单层石墨烯岛，连接起来后即可得到连续单层单晶石墨烯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 连续 单层 晶石 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备连续单层单晶石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：/n对单晶铜进行电化学抛光，得到单晶铜基底，再在所述单晶铜基底上进行石墨烯的生长，得到所述连续单层单晶石墨烯薄膜。/n
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