[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括形成源极区域、漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的通道区域的栅极介电层和栅极电极，形成绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上，形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅极电极的一部分的第一通孔、第二通孔、以及第三通孔，形成源极接触件于第一通孔中以电性连接源极区域，形成漏极接触件于第二通孔中以电性连接漏极区域，以及形成栅极接触件于第三通孔中以电性连接栅极电极。第一通孔、第二通孔、以及第三通孔中的一个或多个是通过聚焦离子束的离子轰击并且随后进行热退火制程，从而去除绝缘层的一部分来形成。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成一源极区域、一漏极区域、以及覆盖该源极区域与该漏极区域之间的一通道区域的一栅极介电层和一栅极电极；形成一绝缘层于该源极区域、该漏极区域、以及该栅极电极之上；形成穿过该绝缘层并分别暴露出该源极区域的一部分、该漏极区域的一部分、以及该栅极电极的一部分的一第一通孔、一第二通孔、以及一第三通孔；形成一源极接触件于该第一通孔中以电性连接该源极区域；形成一漏极接触件于该第二通孔中以电性连接该漏极区域；以及形成一栅极接触件于该第三通孔中以电性连接该栅极电极，其中该第一通孔、该第二通孔、以及该第三通孔中的一个或多个是通过一聚焦离子束的离子轰击并且随后进行一热退火制程，从而去除该绝缘层的一部分来形成。