[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，包括形成源极区域、漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的通道区域的栅极介电层和栅极电极，形成绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上，形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅极电极的一部分的第一通孔、第二通孔、以及第三通孔，形成源极接触件于第一通孔中以电性连接源极区域，形成漏极接触件于第二通孔中以电性连接漏极区域，以及形成栅极接触件于第三通孔中以电性连接栅极电极。第一通孔、第二通孔、以及第三通孔中的一个或多个是通过聚焦离子束的离子轰击并且随后进行热退火制程，从而去除绝缘层的一部分来形成。

技术领域

本发明实施例是有关一种半导体装置的制造方法。

背景技术

昂贵的微影制程已常被用于制造半导体装置中的通孔。通过微影工具至少可确定通孔的尺寸。然而，若依赖微影制程来制造通孔，当通孔的尺寸缩小时，通孔的深宽比可能会变差。

因此，相关领域正进行研究以期找到制造半导体装置中的通孔/接触件的替代方法。

发明内容

根据本揭示内容的多个实施方式，是提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一源极区域、一漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的一通道区域的一栅极介电层和一栅极电极；形成一绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上；形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅极电极的一部分的一第一通孔、一第二通孔、以及一第三通孔；形成一源极接触件于第一通孔中以电性连接源极区域；形成一漏极接触件于第二通孔中以电性连接漏极区域；以及形成一栅极接触件于第三通孔中以电性连接栅极电极。第一通孔、第二通孔、以及第三通孔中的一个或多个是通过一聚焦离子束的离子轰击并且随后进行一热退火制程，从而去除绝缘层的一部分来形成。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以更好地理解本揭露的各个方面。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1～图2为根据本揭示内容的实施例的用于制造孔洞的方法的制程阶段；

图3A～图3F为形成于硅基板中的孔洞深度与用于产生聚焦氦束以形成孔洞于硅基板中的加速电压的模拟关系示意图；

图4A～图4B为根据本揭示内容的实施例的用于制造通孔的方法的制程阶段；

图5～图6为通过本揭示内容的实施例的方法在基板中形成的通孔的概念性剖面图；

图7为通过本揭示内容的实施例的方法所形成的通孔的概念性剖面图；

图8A～图8E为通过本揭示内容的实施例的方法所形成的通孔的示例性结构示意图；

图8F～图8G为通过本揭示内容的实施例的方法所形成的通孔的能量色散X射线光谱(EDS)图像；

图9为通过本揭示内容的实施例的方法在一层中所形成的包括多个孔洞的通孔的概念性剖面图；

图10为根据本揭示内容的一些实施例的半导体装置的剖面示意图；

图11～图20为根据本揭示内容的实施例的用于制造半导体装置的方法的制程阶段；

图21为根据本揭示内容的一些实施例的半导体装置的剖面示意图；

图22～图24为根据本揭示内容的实施例的用于形成浅沟槽隔离于基板中的方法的制程阶段；

图25～图27为根据本揭示内容的实施例的用于制造半导体装置的方法的制程阶段；

图28～图33为根据本揭示内容的实施例的用于封装半导体晶片的方法的制程阶段。

具体实施方式