[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810730024.0 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109103304B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和有源层，所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱的材料采用氮化铟镓；在所述量子阱生长之后对所述量子阱进行电子辐照，增加所述量子阱中的氮空位；采用化学气相沉积技术在所述有源层上生长P型半导体层。本发明通过可提升铟元素的有效并入，增大量子阱中铟元素的含量，从而可以相应减小量子阱的厚度，减小极化对量子阱中电子和空穴复合发光的负影响，提升外延片的内量子效率，最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和有源层，所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱的材料采用氮化铟镓；在所述量子阱生长之后对所述量子阱进行电子辐照，增加所述量子阱中的氮空位；采用化学气相沉积技术在所述有源层上生长P型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810730024.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
