[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和有源层，所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱的材料采用氮化铟镓，所述量子阱的厚度为1.5nm～2nm；

在所述量子阱生长之后对所述量子阱进行电子辐照，增加所述量子阱中的氮空位； 所述电子辐照是采用高能电子束照射材料，在不改变氮元素含量的情况下提高所述量子阱中氮空位的比例，增大所述量子阱中铟元素的含量，所述电子辐照的辐射剂量为10¹⁶/cm²～10²²/cm²；

采用化学气相沉积技术在所述有源层上生长P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述量子阱生长之后对所述量子阱进行电子辐照，增加所述量子阱中的氮空位，包括：

采用透射电子显微镜提供的电子束作为光源，照射所述量子阱。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述电子束的直径为8μm～30μm。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在对所述量子阱进行电子辐照之后，对所述量子阱进行退火处理。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，退火处理的温度为700℃～900℃。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述量子阱在进行退火处理时处于氮气气氛中。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氮气气氛的真空度为10^-8Torr～10^-6Torr。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，退火处理的时长为15min～50min。

9.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱的材料采用氮化铟镓；其特征在于，所述量子阱经过电子辐照处理，所述量子阱的厚度为1.5nm～2nm；所述电子辐照是采用高能电子束照射材料，在不改变氮元素含量的情况下提高所述量子阱中氮空位的比例，增大所述量子阱中铟元素的含量，所述电子辐照的辐射剂量为10¹⁶/cm²～10²²/cm²。