[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810729739.4 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216365B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 金成吉;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在彼此上的多个导电层图案与多个层间绝缘层图案；通道孔，穿透所述堆叠结构；介电层，设置在所述通道孔的侧壁上；通道层，设置在所述介电层上及所述通道孔中；钝化层，设置在所述通道层上及所述通道孔中，其中所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间；以及空气隙，被所述钝化层环绕，其中所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。
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