[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201810729739.4 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN109216365B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 金成吉;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H10B41/20 分类号: H10B41/20
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开提供一种半导体器件,其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:堆叠结构,包括交替地堆叠在彼此上的多个导电层图案与多个层间绝缘层图案;通道孔,穿透所述堆叠结构;介电层,设置在所述通道孔的侧壁上;通道层,设置在所述介电层上及所述通道孔中;钝化层,设置在所述通道层上及所述通道孔中,其中所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间;以及空气隙,被所述钝化层环绕,其中所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。
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