[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

堆叠结构，包括交替地堆叠在彼此上的多个导电层图案与多个层间绝缘层图案；

通道孔，穿透所述堆叠结构；

介电层，设置在所述通道孔的侧壁上；

通道层，设置在所述介电层上及所述通道孔中；

钝化层，设置在所述通道层上及所述通道孔中，其中所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间；以及

空气隙，被所述钝化层环绕，

其中所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

焊盘，设置在所述通道孔中及所述钝化层上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位线，设置在所述焊盘上。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述钝化层包括：

下部层，设置在所述通道孔的所述侧壁上，

水平层，设置在所述下部层上；以及

突出部，从所述水平层延伸到所述焊盘中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述突出部的宽度小于所述水平层的宽度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述焊盘覆盖位于所述通道孔中的所述水平层、所述突出部、所述介电层及所述通道层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述焊盘包括第一焊盘及第二焊盘，

其中所述第一焊盘接触所述水平层的上表面、所述介电层的上表面、所述通道层的上表面及所述突出部的侧表面，且

其中所述第二焊盘接触所述第一焊盘的上表面及所述突出部的上表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述第一焊盘与所述第二焊盘包含不同的材料。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述突出部的宽度小于所述空气隙的宽度。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

堆叠结构，包括交替地且垂直地堆叠在彼此上的多个导电层图案与多个层间绝缘层图案；

空气隙，垂直地设置在所述堆叠结构中；

钝化层，覆盖所述空气隙的上表面；

通道层，环绕所述空气隙的侧表面；

介电层，环绕所述通道层的侧表面且接触所述堆叠结构；以及

焊盘，设置在所述钝化层上且接触所述多个层间绝缘层图案中的最上层间绝缘层图案。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述钝化层环绕所述空气隙的所述侧表面；且

其中所述通道层环绕所述钝化层的侧表面。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述多个层间绝缘层图案中的所述最上层间绝缘层图案设置在所述堆叠结构的顶部处，且

其中所述空气隙的所述上表面的高度大于所述堆叠结构中所述多个导电层图案中的最上导电层图案的上表面的高度。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述焊盘接触所述最上层间绝缘层图案。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位线，在所述焊盘上在第一方向上延伸，

其中所述多个导电层图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。