[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号: | 201810716228.9 | 申请日: | 2018-07-03 | 
| 公开(公告)号: | CN109256332A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 | 
| 发明(设计)人: | D·马丁;R·瓦尔加斯 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 | 
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 | 
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,其按照能够使相邻的器件与器件密合地配设的方式对晶片进行加工。晶片的加工方法至少由下述工序构成:改质层形成工序,按照从晶片(2)的背面(2b)入射的方式将具有对于晶片(2)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位在表面(2a)侧附近的内部来对晶片(2)照射激光光线(LB),沿着分割预定线(4)形成改质层(16);切削槽形成工序,从晶片(2)的背面(2b)对切削刀具(26)进行定位,沿着分割预定线(4)形成深度未达到表面(2a)的切削槽(30);以及分割工序,对晶片(2)赋予外力,以沿着分割预定线(4)形成的改质层(16)为起点将晶片(2)分割成各个器件(6)。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 分割预定线 改质层 形成工序 切削槽 加工 背面 照射激光光线 激光光线 切削刀具 聚光点 透过性 波长 分割 密合 入射 赋予 | ||
【主权项】:
                1.一种晶片的加工方法,其将由分割预定线划分而在基板的表面形成有多个器件的晶片分割成各个器件,其包括下述工序:改质层形成工序,按照从晶片的背面入射的方式将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在表面侧附近的内部来对晶片照射激光光线,沿着分割预定线形成改质层;切削槽形成工序,从晶片的背面对切削刀具进行定位,沿着分割预定线形成深度未达到表面的切削槽;以及分割工序,对晶片赋予外力,以沿着分割预定线形成的改质层为起点将晶片分割成各个器件。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
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