[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号: | 201810716228.9 | 申请日: | 2018-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN109256332A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
| 发明(设计)人: | D·马丁;R·瓦尔加斯 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 分割预定线 改质层 形成工序 切削槽 加工 背面 照射激光光线 激光光线 切削刀具 聚光点 透过性 波长 分割 密合 入射 赋予 | ||
本发明提供晶片的加工方法,其按照能够使相邻的器件与器件密合地配设的方式对晶片进行加工。晶片的加工方法至少由下述工序构成:改质层形成工序,按照从晶片(2)的背面(2b)入射的方式将具有对于晶片(2)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位在表面(2a)侧附近的内部来对晶片(2)照射激光光线(LB),沿着分割预定线(4)形成改质层(16);切削槽形成工序,从晶片(2)的背面(2b)对切削刀具(26)进行定位,沿着分割预定线(4)形成深度未达到表面(2a)的切削槽(30);以及分割工序,对晶片(2)赋予外力,以沿着分割预定线(4)形成的改质层(16)为起点将晶片(2)分割成各个器件(6)。
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法,其将由分割预定线划分而在基板的表面形成有多个器件的晶片分割成各个器件。
背景技术
将由分割预定线划分而在表面形成有IC、LSI、LED等多个器件的晶片利用切割装置、激光加工装置分割成各个器件,分割得到的各器件被用于移动电话、个人电脑等电气设备中。
器件装片至配线基板而被制成电气设备的部件,但对于LED等发光元件、受光元件、电波发送元件、电波接收元件等用于人造卫星的器件来说,有时使相邻的器件与器件的表面密合地配设。
但是,在利用切割装置对晶片进行切削来生成器件时,具有在器件的表面外周产生微细的缺口、相邻的器件与器件无法密合地配设的问题。
另外,在将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部来对晶片照射激光光线,沿着分割预定线形成改质层,之后对晶片赋予外力而分割成各个器件时,不会在器件的表面外周产生微细的缺口,而生成品质良好的器件,但由于构成器件的基板的晶体取向的原因,从表面到背面的解理面有时倾斜地解理,从而具有相邻的器件与器件无法密合地配设的问题(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3408805号公报
发明内容
发明所要解决的课题
鉴于上述情况而完成的本发明的课题在于提供一种晶片的加工方法,其按照能够使相邻的器件与器件密合地配设的方式对晶片进行加工。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式,提供一种晶片的加工方法,其将由分割预定线划分而在基板的表面形成有多个器件的晶片分割成各个器件,其包括下述工序:改质层形成工序,按照从晶片的背面入射的方式将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在表面侧附近的内部来对晶片照射激光光线,沿着分割预定线形成改质层;切削槽形成工序,从晶片的背面对切削刀具进行定位,沿着分割预定线形成深度未达到表面的切削槽;以及分割工序,对晶片赋予外力,以沿着分割预定线形成的改质层为起点将晶片分割成各个器件。
优选在该改质层形成工序中,在晶片的表面侧附近形成改质层后,按照从晶片的背面入射的方式将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在背面侧附近的内部来对晶片照射激光光线,沿着分割预定线在背面侧附近形成改质层,并且使从在背面侧附近形成的改质层延伸的裂纹在背面露出,在该切削槽形成工序中,将切削刀具定位于在背面露出的裂纹,形成切削槽。另外,优选在该切削槽形成工序中,从晶片的背面利用红外线检测在表面附近形成的改质层,将切削刀具定位在所检测出的改质层,形成切削槽。另外,优选包括框架支承工序,在该改质层形成工序之前,将晶片的表面粘贴在划片带上,并且将晶片定位在具有收纳晶片的开口的框架的该开口,对划片带的外周进行粘贴,借助划片带而利用框架对晶片进行支承,在该分割工序中,对划片带进行扩展而对晶片赋予外力。另外,优选包括器件配设工序,将通过该分割工序分割出的器件彼此紧密地配设。
发明效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





