[发明专利]爆炸装置电路板残片识别方法在审

专利信息
申请号: 201810710880.X 申请日: 2018-07-03
公开(公告)号: CN108961240A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 赵衍运;孙彤;徐少强 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/33
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 陆军
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开涉及爆炸装置电路板残片识别方法,其中在样本库中保存有样本图像及其特征点和特征描述,该方法包括步骤:1、提取残片图像的特征点;2、计算特征点的SIFT描述;3、分别计算每个特征点的SIFT描述与每个样本图像的每个特征点的SIFT描述的第一欧式距离;4、对第一欧式距离由小到大排序,选择特征点集中第一欧式距离排序靠前的多个特征点,作为的该特征点的候选匹配点;5、计算候选匹配点与该特征点的形状上下文描述之间的第二欧氏距离,保留第二欧式距离不大于预定阈值的候选匹配点,作为该特征点的匹配点集;6、在样本图像中寻找与残片图像的第一星型结构匹配的第二星型结构;7、根据星型结构之间的相似性,获得样本图像与残片图像的匹配度。
搜索关键词: 特征点 欧式距离 样本图像 候选匹配 星型结构 电路板 爆炸装置 图像 排序 形状上下文 欧氏距离 匹配点集 特征描述 匹配度 样本库 匹配 保留
【主权项】:
1.一种爆炸装置电路板残片识别方法,其中,在样本库中保存有与已知电路板对应的样本图像Ii、及其特征点和特征描述,爆炸装置电路板残片对应有残片图像I0,所述方法包括以下步骤:步骤1、提取残片图像I0的特征点;步骤2、计算所述特征点的SIFT描述,形成特征点集为S0;步骤3、分别计算特征点集为S0中的每个特征点的SIFT描述与每个样本图像Ii的特征点集Si中的每个特征点的SIFT描述的第一欧式距离;步骤4、对所述第一欧式距离由小到大排序,选择特征点集Si中所述第一欧式距离排序靠前的多个特征点,作为S0的该特征点的候选匹配点;步骤5、计算候选匹配点与S0的该特征点的形状上下文描述之间的第二欧氏距离,保留第二欧式距离不大于预定阈值的候选匹配点,作为S0的该特征点的匹配点集;步骤6、建立残片图像I0的特征点的第一星型结构,并在样本图像Ii中寻找与第一星型结构匹配的第二星型结构,其中,所述第二星型结构是基于所述匹配点集建立的;步骤7、根据第二星型结构与第一星型结构的相似性,获得各个样本图像Ii与残片图像I0的匹配度。
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