[发明专利]爆炸装置电路板残片识别方法在审
| 申请号: | 201810710880.X | 申请日: | 2018-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN108961240A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
| 发明(设计)人: | 赵衍运;孙彤;徐少强 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
| 主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/33 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 陆军 |
| 地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 特征点 欧式距离 样本图像 候选匹配 星型结构 电路板 爆炸装置 图像 排序 形状上下文 欧氏距离 匹配点集 特征描述 匹配度 样本库 匹配 保留 | ||
1.一种爆炸装置电路板残片识别方法,其中,在样本库中保存有与已知电路板对应的样本图像Ii、及其特征点和特征描述,爆炸装置电路板残片对应有残片图像I0,
所述方法包括以下步骤:
步骤1、提取残片图像I0的特征点;
步骤2、计算所述特征点的SIFT描述,形成特征点集为S0;
步骤3、分别计算特征点集为S0中的每个特征点的SIFT描述与每个样本图像Ii的特征点集Si中的每个特征点的SIFT描述的第一欧式距离;
步骤4、对所述第一欧式距离由小到大排序,选择特征点集Si中所述第一欧式距离排序靠前的多个特征点,作为S0的该特征点的候选匹配点;
步骤5、计算候选匹配点与S0的该特征点的形状上下文描述之间的第二欧氏距离,保留第二欧式距离不大于预定阈值的候选匹配点,作为S0的该特征点的匹配点集;
步骤6、建立残片图像I0的特征点的第一星型结构,并在样本图像Ii中寻找与第一星型结构匹配的第二星型结构,其中,所述第二星型结构是基于所述匹配点集建立的;
步骤7、根据第二星型结构与第一星型结构的相似性,获得各个样本图像Ii与残片图像I0的匹配度。
2.根据权利要求1所述的爆炸装置电路板残片识别方法,其中,所述特征点是Harris特征点。
3.根据权利要求1所述的爆炸装置电路板残片识别方法,其中,在步骤6中,如下建立残片图像I0的特征点的第一星型结构:
步骤6-1、初始化残片图像I0的当前特征点pk,令k=1;
步骤6-2、如果当前特征点pk不在图像边缘区域、且不属于已确定的有效星型结构,则将其作为星型结构中心点,否则将下一特征点pk+1作为当前特征点,重复此步骤;
步骤6-3、将特征点集S0中的与当前特征点pk的距离不小于星型结构阈值Td的特征点作为以pk为中心的星型结构的末端结点pe;
步骤6-4、如果以pk为中心的星型结构的所述末端结点pe不少于特定数目,则将以pk为中心的星型结构作为有效星型结构,将当前中心点pk记为末端结点pe记为
步骤6-5、将下一特征点pk+1作为当前特征点,返回到步骤6-2,如果不存在下一特征点pk+1,则记录全部有效星型结构,将当前中心点pk记为末端结点pe记为其中m=1、…、M,M为有效星型结构的数目。
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