[发明专利]图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法在审
| 申请号： | 201810703170.4 | 申请日： | 2018-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108899278A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 来宇浩 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;G06F3/047;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法，通过在基底上形成图案化的表面改性层，并利用表面改性层与纳米银线溶液相互排斥的性质，使在表面改性层上散开纳米银线溶液并自动聚集到基底中暴露出的部分上，从而在固化后形成图案化的纳米银线薄膜。本发明提供了一种低成本、高效率的图案化纳米银线薄膜的制造方法，整个制造过程简单快速，可适用于大规模生产，且能够减少设备成本。此外，生产过程中也不存在纳米银线溶液的浪费，提高了纳米银线材料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米银线 图案化 薄膜 表面改性层 触控面板 基底 制造 减少设备 生产过程 制造过程 散开 低成本 高效率 固化 排斥 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成图案化的表面改性层；在所述基底上涂覆纳米银线溶液，所述表面改性层与所述纳米银线溶液相互排斥，以使涂覆于所述表面改性层上的纳米银线溶液自动分散开，并聚集至所述基底中未覆盖所述表面改性层的部分上；执行烘烤工艺固化所述纳米银线溶液以形成图案化的纳米银线薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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