[发明专利]图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法在审
| 申请号： | 201810703170.4 | 申请日： | 2018-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108899278A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 来宇浩 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;G06F3/047;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米银线 图案化 薄膜 表面改性层 触控面板 基底 制造 减少设备 生产过程 制造过程 散开 低成本 高效率 固化 排斥 暴露 | ||
1.一种图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成图案化的表面改性层；
在所述基底上涂覆纳米银线溶液，所述表面改性层与所述纳米银线溶液相互排斥，以使涂覆于所述表面改性层上的纳米银线溶液自动分散开，并聚集至所述基底中未覆盖所述表面改性层的部分上；
执行烘烤工艺固化所述纳米银线溶液以形成图案化的纳米银线薄膜。
2.根据权利要求1中所述图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，所述纳米银线溶液中溶剂为水时，所述表面改性层具有疏水性。
3.根据权利要求2中所述图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，所述表面改性层由表面改性剂形成，且所述表面改性剂为硅烷偶联剂、直链烷基类、支链烷基类表面改性剂、松香衍生物类表面改性剂、氟代烷基表面改性剂或聚硅氧烷基类表面改性剂。
4.根据权利要求1中所述的图案化纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，所述表面改性层呈第一图案，所述纳米银线薄膜呈第二图案，所述第一图案与所述第二图案互不重叠，且所述第一图案与所述第二图案互补，共同覆盖整个所述基底。
5.根据权利要求4中所述图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，所述表面改性层的形成方法包括：
提供一转印板；
在所述转印板上涂覆图案化的表面改性剂；
利用转印的方法将所述转印板上的所述表面改性剂转印至所述基底上；
固化所述表面改性剂以形成所述表面改性层。
6.根据权利要求5中所述图案化的纳米银线薄膜的制造方法，其特征在于，采用丝网印刷的方法在所述转印板上形成呈所述第一图案的所述表面改性剂。
7.一种触控面板的制造方法，其特征在于，采用权利要求1-6中任意一项所述的图案化的纳米银线薄膜的制造方法。
8.一种触控屏，其特征在于，所述触控屏中包括纳米银线薄膜，所述纳米银线薄膜采用权利要求1-6中任意一项所述的图案化的纳米银线薄膜的制造方法制成。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8中所述的触控屏。
10.一种触控装置，其特征在于，包括权利要求8所述的触控屏，或者权利要求9所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810703170.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：外延片的制备方法及肖特基二极管
- 下一篇：纳米银线结构及其制备方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
