[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810698820.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109103303B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型层和高温P型层，所述低温P型层的生长温度低于所述高温P型层的生长温度；其中，所述低温P型层和所述高温P型层中的至少一个为超晶格结构，所述超晶格结构包括依次层叠的多个子层，每个所述子层采用如下方式形成：持续通入铟源、镓源、氨气和载气，形成氮化铟镓层；停止通入铟源和镓源，同时继续通入氨气和载气，对所述氮化铟镓层进行处理；开始通入镁源，同时继续通入氨气和载气，在所述氮化铟镓层上形成氮化镁层。本发明可提高超晶格结构中空穴的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 氨气 超晶格结构 氮化铟镓层 载气 制备 衬底 铟源 镓源 生长 半导体技术领域 氮化镁层 依次层叠 缓冲层 中空穴 镁源 源层 子层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型层和高温P型层，所述低温P型层的生长温度低于所述高温P型层的生长温度；/n其中，所述低温P型层和所述高温P型层中的至少一个为超晶格结构，所述超晶格结构包括依次层叠的多个子层，每个所述子层采用如下方式形成：/n持续通入铟源、镓源、氨气和载气，形成氮化铟镓层；/n停止通入铟源和镓源，同时继续通入氨气和载气，对所述氮化铟镓层进行处理；/n开始通入镁源，同时继续通入氨气和载气，在所述氮化铟镓层上形成氮化镁层。/n
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