[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810698820.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109103303B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 氨气 超晶格结构 氮化铟镓层 载气 制备 衬底 铟源 镓源 生长 半导体技术领域 氮化镁层 依次层叠 缓冲层 中空穴 镁源 源层 子层 | ||
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型层和高温P型层，所述低温P型层的生长温度低于所述高温P型层的生长温度；
其中，所述低温P型层和所述高温P型层中的至少一个为超晶格结构，所述超晶格结构包括依次层叠的多个子层，每个所述子层采用如下方式形成：
持续通入铟源、镓源、氨气和载气，形成氮化铟镓层；
停止通入铟源和镓源，同时继续通入氨气和载气，对所述氮化铟镓层进行处理；
开始通入镁源，同时继续通入氨气和载气，在所述氮化铟镓层上形成氮化镁层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气为氮气和氢气的混合气体，生长所述低温P型层时所述载气中氢气所占的比例小于生长所述高温P型层时所述载气中氢气所占的比例。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述子层的数量为5个～30个。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铟镓层的厚度为10nm～50nm。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铟镓层的处理时间为5s～30s。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氮化镁层的形成时间为10s～5min。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，生长温度在单个所述子层的形成过程中保持不变。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述低温P型层的生长温度为750℃～800℃。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述高温P型层的生长温度为950℃～1000℃。
10.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述低温P型层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述低温P型层的生长温度低于所述高温P型层的生长温度；其特征在于，所述低温P型层和所述高温P型层中的至少一个为超晶格结构，所述超晶格结构包括依次层叠的多个子层，每个所述子层由依次层叠的氮化铟镓层和氮化镁层组成，所述氮化铟镓层在所述氮化镁层层叠之前通入氨气和载气进行处理过。
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