[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201810690029.5 | 申请日: | 2018-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN108878449B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本公开公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,用于简化阵列基板的制作工艺。该阵列基板的制作方法包括:在衬底基板上依次形成遮光层和缓冲层;在缓冲层上形成有源层,并在有源层中形成第一过孔;在有源层上形成层间介质层;通过一次构图工艺,在层间介质层中对应第一过孔的位置形成第二过孔,并在缓冲层中对应第一过孔的位置形成第三过孔;在层间介质层上形成源/漏电极层,使源/漏电极层依次通过第二过孔、第一过孔及第三过孔与遮光层电连接。本公开提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置用于采用顶栅型薄膜晶体管制作的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上依次形成遮光层和缓冲层,其特征在于,还包括:在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层,并在所述有源层中形成第一过孔;在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成层间介质层;通过一次构图工艺,在所述层间介质层中对应所述第一过孔的位置形成第二过孔,并在所述缓冲层中对应所述第一过孔的位置形成第三过孔,所述第二过孔的关键尺寸大于所述第一过孔及所述第三过孔的关键尺寸,且所述第一过孔及所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影处于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影范围之内;在所述层间介质层背向所述衬底基板的一侧形成源/漏电极层,所述源/漏电极层依次通过所述第二过孔、所述第一过孔及所述第三过孔与所述遮光层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





