[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成遮光层和缓冲层，其特征在于，还包括：

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层，并在所述有源层中形成第一过孔；

在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成层间介质层；

通过一次构图工艺，在所述层间介质层中对应所述第一过孔的位置形成第二过孔，并在所述缓冲层中对应所述第一过孔的位置形成第三过孔，所述第二过孔的关键尺寸大于所述第一过孔及所述第三过孔的关键尺寸，且所述第一过孔及所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影处于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影范围之内；

在所述层间介质层背向所述衬底基板的一侧形成源/漏电极层，所述源/漏电极层依次通过所述第二过孔、所述第一过孔及所述第三过孔与所述遮光层电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述层间介质层中对应所述第一过孔的位置形成第二过孔，并在所述缓冲层中对应所述第一过孔的位置形成第三过孔的步骤，包括：

在所述层间介质层背向所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有所述第二过孔的图案；

以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成所述第二过孔，所述第二过孔暴露出部分所述有源层；

以所述有源层为掩膜，刻蚀去除所述第一过孔中的层间介质层材料，以及所述缓冲层中对应所述第一过孔的区域的缓冲层材料，在所述缓冲层中形成所述第三过孔。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成层间介质层的步骤，包括：

在所述有源层背向所述衬底基板的一侧依次形成栅极绝缘材料层和栅极材料层；

通过一次构图工艺，刻蚀所述栅极材料层和所述栅极绝缘材料层，形成栅极和栅极绝缘层；

对所述有源层中未被所述栅极绝缘层覆盖的部分进行掺杂处理，形成源区和漏区；

在所述源区、所述漏区及所述栅极背向所述衬底基板的一侧形成所述层间介质层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一过孔位于所述源区，形成所述源/漏电极层的步骤，包括：

在所述层间介质层背向所述有源层的一侧形成金属材料层，使所述金属材料层通过所述第二过孔与所述有源层中对应所述第二过孔的部分电连接，并使所述金属材料层依次通过所述第二过孔、所述第一过孔及所述第三过孔与所述遮光层电连接；

刻蚀所述金属材料层，形成所述源/漏电极层中的源极和漏极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层，并在所述有源层中形成第一过孔的步骤，包括：

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源材料层；

在所述有源材料层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有有源层的图案，所述有源层的图案包括所述第一过孔的图案；

以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述有源材料层，形成所述有源层，同时在所述有源层中形成所述第一过孔。

6.一种阵列基板，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板一侧的遮光层，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置于所述遮光层背向所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层中设有第三过孔；

设置于所述缓冲层背向所述衬底基板一侧的有源层，所述有源层中设有第一过孔；所述有源层中所述第一过孔所在一端的边缘与所述阵列基板的栅线之间的最短间隙为4～6μm；

设置于所述有源层背向所述衬底基板一侧的层间介质层，所述层间介质层中设有第二过孔；其中，所述第二过孔的关键尺寸大于所述第一过孔及所述第三过孔的关键尺寸，且所述第一过孔及所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影处于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影范围之内；

设置于所述层间介质层背向所述衬底基板一侧的源/漏电极层，所述源/漏电极层依次通过所述第二过孔、所述第一过孔及所述第三过孔与所述遮光层电连接。