[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810686336.6 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660811A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;杨国裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/84 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、互补式金属氧化物半导体元件与双极结晶体管。互补式金属氧化物半导体元件包括设置在基底上的N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管。双极结晶体管包括集极、基极与射极。集极设置在基底中。基极设置在基底上。射极设置在基极上。NMOS晶体管的通道的顶面、PMOS晶体管的通道的顶面与双极结晶体管的集极的顶面等高。上述半导体结构可具有较佳的整体效能。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 双极结晶体管 半导体结构 顶面 集极 互补式金属氧化物半导体 射极 整体效能 等高 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底；/n互补式金属氧化物半导体元件，包括设置在所述基底上的N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管；以及/n双极结晶体管，包括：/n集极，设置在所述基底中；/n基极，设置在所述基底上；以及/n射极，设置在所述基极上，其中/n所述N型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面、所述P型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面与所述双极结晶体管的所述集极的顶面等高。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
