[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

互补式金属氧化物半导体元件，包括设置在所述基底上的N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管；以及

双极结晶体管，包括：

集极，设置在所述基底中；

基极，设置在所述基底上；以及

射极，设置在所述基极上，其中

所述N型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面、所述P型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面与所述双极结晶体管的所述集极的顶面等高。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括绝缘层与位于所述绝缘层上的半导体层，且所述集极设置在所述半导体层中。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述双极结晶体管包括异质结双极晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述集极与所述射极具有第一导电型，且所述基极具有第二导电型。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述集极包括：

重掺杂区，位于所述基底中；以及

轻掺杂区，位于所述基底中，且位于所述重掺杂区与所述基极之间。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述射极两侧的所述基极中，且具有所述第二导电型。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

保护层，位于所述基极与所述射极之间，且具有开口，其中所述射极穿过所述开口，且连接至所述基极。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

间隙壁，设置在所述射极的侧壁上。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

高电阻率材料层，设置在所述互补式金属氧化物半导体元件与所述双极结晶体管上方。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述高电阻率材料层的电阻率大于4000欧姆·厘米。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述高电阻率材料层的材料包括高电阻率硅、玻璃、石英或聚合物材料。

12.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成互补式金属氧化物半导体元件，其中所述互补式金属氧化物半导体包括设置在所述基底上的N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管；以及

在所述基底上形成双极结晶体管，其中所述双极结晶体管包括：

集极，设置在所述基底中；

基极，设置在所述基底上；以及

射极，设置在所述基极上，其中

所述N型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面、所述P型金属氧化物半导体晶体管的通道的顶面与所述双极结晶体管的所述集极的顶面等高。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述双极结晶体管包括异质结双极晶体管。

14.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述集极与所述射极具有第一导电型，且所述基极具有第二导电型。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述集极的形成方法包括：

在所述基底中形成重掺杂区；以及

在所述重掺杂区与所述基极之间的所述基底中形成轻掺杂区。