[发明专利]一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法在审
| 申请号： | 201810679844.1 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108563281A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长泰品原电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 363999 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种带有补偿回路的基准电压电路及电源模块。本发明中的一种带有补偿回路的基准电压电路，包括启动电路和基准电压产生电路。本发明在传统基准电压电路的基础上，通过增加补偿回路，降低了输出电压的温度系数，并且具有较高的电源抑制比。本发明还提供了一种电源模块，可用于将输入的交流电转化为稳定的直流电压输出。 | ||
| 搜索关键词： | 基准电压电路 补偿回路 电源模块 基准电压产生电路 模拟电路技术 直流电压输出 电源抑制比 交流电转化 补偿电路 启动电路 输出电压 温度系数 可用 | ||
【主权项】：
1.一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法，包括：形成包括第十二MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十五MOS管M15，第十六MOS管M16，第二电容C2，第十七MOS管M17的启动电路，将所述第十七MOS管M17、所述第十二MOS管M12的源极连接电压Vdd，将所述第十七MOS管M17的栅极接地，将所述第十七MOS管M17的漏极连接所述第十三MOS管M13的漏极以及所述第十五MOS管M15的栅极，将所述第十三MOS管M13的源极接地，将所述第十二MOS管M12的栅极连接所述第二电容C2的第一端、所述第十五MOS管M15的漏极以及所述第十六MOS管M16的栅极，将所述第二电容C2的第二端连接所述电压Vdd，将所述第十二MOS管M12的漏极连接所述第十四MOS管M14的漏极并连接所述第十四MOS管M14的栅极以及所述第十三MOS管M13的栅极，将所述第十四MOS管M14的源极接地，将所述第十五MOS管M15的源极接地，将所述第十六MOS管M16的源极连接电压Vdd，将所述第十六MOS管M16的漏极作为所述启动电路的输出；形成包括第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第十MOS管M10，第十一MOS管M11，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第八电阻R8，第一电容C1，第一三极管Q1，第二三极管Q2，第三三极管Q3的基准电压产生电路。
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