[发明专利]一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法

权利要求书

1.一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法，包括：

形成包括第十二MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十五MOS管M15，第十六MOS管M16，第二电容C2，第十七MOS管M17的启动电路，将所述第十七MOS管M17、所述第十二MOS管M12的源极连接电压Vdd，将所述第十七MOS管M17的栅极接地，将所述第十七MOS管M17的漏极连接所述第十三MOS管M13的漏极以及所述第十五MOS管M15的栅极，将所述第十三MOS管M13的源极接地，将所述第十二MOS管M12的栅极连接所述第二电容C2的第一端、所述第十五MOS管M15的漏极以及所述第十六MOS管M16的栅极，将所述第二电容C2的第二端连接所述电压Vdd，将所述第十二MOS管M12的漏极连接所述第十四MOS管M14的漏极并连接所述第十四MOS管M14的栅极以及所述第十三MOS管M13的栅极，将所述第十四MOS管M14的源极接地，将所述第十五MOS管M15的源极接地，将所述第十六MOS管M16的源极连接电压Vdd，将所述第十六MOS管M16的漏极作为所述启动电路的输出；

形成包括第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第十MOS管M10，第十一MOS管M11，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第八电阻R8，第一电容C1，第一三极管Q1，第二三极管Q2，第三三极管Q3的基准电压产生电路。

2.如权利要求1所述的一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法，其特征在于，将所述第一MOS管M1、所述第三MOS管M3、所述第五MOS管M5的源极连接所述所述启动电路的输出端即第十六MOS管M16的漏极，将所述第一MOS管M1的栅极连接第一MOS管M1的漏极、所述第二MOS管M2的源极以及所述第三MOS管M3和所述第五MOS管M5的栅极，将所述第二MOS管M2的栅极连接所述第四MOS管M4、所述第六MOS管M6的栅极，将所述第三MOS管M3的漏极连接所述第四MOS管M4的源极，将所述第五MOS管M5的漏极连接第六MOS管M6的源极，将所述第二MOS管M2的漏极连接所述第一电阻R1的第一端，将所述第一电阻R1的第二端接地，将所述第四MOS管M4的漏极连接所述第七MOS管M7、所述第八MOS管M8的源极，将所述第七MOS管M7、所述第八MOS管M8的漏极分别连接所述第九MOS管M9、所述第十MOS管M10的漏极，所述第九MOS管M9、所述第十MOS管M10的源极接地，将所述第九MOS管M9、所述第十MOS管M10的栅极相连并连接所述第九MOS管M9的漏极，将所述第七MOS管M7的栅极连接所述第二电阻R2的第一端和所述第六电阻R6的第一端。

3.如权利要求2所述的一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法，其特征在于，将所述第二电阻R2的第二端连接所述第三电阻R3的第一端和所述第四电阻R4的第一端，将所述第三电阻R3的第二端连接所述第六MOS管M6的漏极和所述第三三极管Q3的集电极，将所述第四电阻R4的第二端连接所述第八MOS管M8的栅极和所述第一三极管Q1的发射极，将所述第一三极管Q1的集电极和基极接地，将所述第六电阻R6的第二端连接所述第三三极管Q3的基极和所述第七电阻R7的第一端，将所述第七电阻R7的第二端连接所述第二三极管Q2的发射极，将所述第二三极管Q2的集电极和基极接地，将所述第三三极管Q3的发射极连接电阻所述第八电阻R8的第一端，将所述电阻第八电阻R8的第二端接地，将所述第十一MOS管M11的栅极连接所述第八MOS管M8的漏极和所述第五电阻R5的第一端。

4.如权利要求3所述的一种在基准电压电路上形成补偿电路的方法，其特征在于，将所述第五电阻R5的第二端连接所述第一电容C1的第一端，将所述第一电容C1的第二端连接所述第十一MOS管M11的漏极和所述第六MOS管M6的漏极，将所述第十一MOS管M11的源极接地，将所述第六MOS管M6的漏极电压VREF即为输出电压。