[发明专利]双面电容器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种双面电容器结构的制备方法，该方法包括：1）提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构，2）于叠层结构上形成图形化掩膜层，基于图形化掩膜层于叠层结构中刻蚀出多个电容孔；3）于电容孔的底部及侧壁形成下电极层；4）于步骤3）得到的结构上形成掩膜层，基于掩膜层于叠层结构上形成掩膜开口，开口暴露出电容孔的20%~60%内孔径面积，基于掩膜开口，去除牺牲层；5）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，于电容介质层的外表面形成上电极层。本发明采用不同的开孔方式，通过控制电容开孔面积及使用支撑层刻蚀气体源，从而形成密度更密，机械强度更强且可保证电容值的双面电容器。

主权项

1.一种双面电容器结构的制备方法，其特征在于，所述双面电容器结构的制备方法至少包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的支撑层及牺牲层；2)于所述叠层结构上形成图形化掩膜层，基于所述图形化掩膜层于所述叠层结构中刻蚀出多个电容孔；3)于所述电容孔的底部及侧壁形成下电极层，所述支撑层连接所述下电极层；4)于步骤3)得到的结构上形成掩膜层，基于所述掩膜层于所述叠层结构上形成掩膜开口，其中，所述掩膜开口暴露出所述电容孔的20％～60％内孔径面积；并且基于所述掩膜开口，去除所述牺牲层及所述掩膜开口内且交替层叠在所述牺牲层上的所述支撑层，其中位于底层的所述支撑层保留在所述半导体衬底上；5)于所述下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，其中，所述电容介质层覆盖所述下电极层，并于所述电容介质层的外表面形成上电极层，其中所述上电极层覆盖所述电容介质层及所述支撑层。