[发明专利]一种对碲镉汞pn结材料进行测试的方法有效
申请号: | 201810675393.4 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN109116270B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 许秀娟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 于金平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种对碲镉汞pn结材料进行测试的方法,本发明采用动态变换的磁场强度来对碲镉汞pn结材料进行霍尔测量,实验证明,本发明方法进行霍尔测量的测量结果更准确,所以本发明的方法能够有效解决现有技术中固定磁场的霍尔测量不能准确评价并表征碲镉汞pn结材料的导电类型、载流子浓度和迁移率的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲镉汞 pn 材料 进行 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对碲镉汞pn结材料进行测试的方法,其特征在于,包括:对碲镉汞pn结材料进行预处理;将预处理后的碲镉汞pn结材料进行变化磁场强度的霍尔测试;根据测试结果确定碲镉汞pn结材料的霍尔系数RH、载流子浓度和迁移率。
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