[发明专利]一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种添加Bi2O3的(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料及其制备方法，化学计量式为xwt％Bi2O3‑(100‑x)wt％(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2，其中，0x≤3。制备方法是按化学组成进行配料，混合，烘干，过筛，预烧，二次湿法球磨，冷等静压成型，烧结成瓷，烧银等工艺制得超低损耗高介电常数陶瓷介电材料。本发明制备的介电材料介电常数大于25000，最小介电损耗为0.015，有良好的频率(20Hz‑106Hz)和温度稳定性(‑150～200℃)。本发明制备的介电材料实用性强，可用于微电子行业，尤其是动态随机存储和高介电陶瓷电容器。

主权项

1.一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料，其特征在于，其化学计量式为xwt％Bi2O3‑(100‑x)wt％(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2，其中，0

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810672060.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。