[发明专利]一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料，其特征在于，其化学计量式为xwt％Bi₂O₃-(100-x)wt％(Eu_0.5Nb_0.5)_0.01Ti_0.99O₂，其中，x＝2；

当频率在10³-10⁴Hz时，其介电常数大于25000，介电损耗在0.015-0.017之间。

2.根据权利要求1所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，将Bi₂O₃的粉体和(Eu_0.5Nb_0.5)_0.01Ti_0.99O₂陶瓷粉体混合配料，球磨、烘干后，经预烧和成型后，在1350-1500℃下保温2-6h烧结成瓷，得到超低介电损耗高介电常数的陶瓷介电材料。

3.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，(Eu_0.5Nb_0.5)_0.01Ti_0.99O₂陶瓷粉体通过以下方法制得：按照化学式(Eu_0.5Nb_0.5)_0.01Ti_0.99O₂，将氧化铕、氧化铌和二氧化钛经球磨、烘干后在1200℃保温2h，制得(Eu_0.5Nb_0.5)_0.01Ti_0.99O₂陶瓷粉体。

4.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，预烧的温度为1100-1200℃，时间为2-3h。

5.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，球磨为湿法球磨，球磨介质是无水乙醇，球石为二氧化锆球石。

6.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，球磨的球磨时间是4-6h。

7.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，烘干的烘干温度是40-60℃。

8.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，成型的工艺指冷等静压工艺。