[发明专利]一种MIM结构薄膜电容制备工艺在审
| 申请号： | 201810664860.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108831743A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 易蒋孙 | 申请（专利权）人： | 汕头市信音电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;H01G4/10;H01G4/008 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIM结构薄膜电容制备工艺，利用氧气等离子处理，降低薄膜漏电流和非线性电压系数，实现低温工艺优化。本发明所提出的一种MIM结构薄膜电容制备工艺，通过射频磁控溅射，沉积 Zn2Te3O8介质薄膜；利用氧气等离子处理Zn2Te3O8介质薄膜，通过改变氧气流量和等离子功率，优化薄膜电学性能；采用优化的Zn2Te3O8介质薄膜，制备MIM结构薄膜电容。本发明的MIM结构薄膜电容制备工艺，实现了低温优化，制备过程简单，可重复性高；获得的薄膜电容漏电流低，且介电性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电容 制备工艺 介质薄膜 氧气等离子 漏电流 优化 薄膜 射频磁控溅射 等离子功率 非线性电压 低温工艺 电学性能 介电性能 可重复性 氧气流量 制备过程 沉积 制备 | ||
【主权项】：
1.一种MIM结构薄膜电容制备工艺，其特征在于，利用氧气等离子处理，进行低温优化，制备工艺步骤如下：a. 在400℃的温度下，将ZnO2与TeO2混合粉末加热，经反应后合成 Zn2Te3O8粉末；b. Zn2Te3O8粉末控温冷却后，经压制成型，并置于真空干燥箱烘干，制备Zn2Te3O8靶材；c. 通过真空蒸发，在SiO2基底上，制备Cu下电极；d. 利用氩气流和氧气流的射频溅射方法，在沉积了Cu的SiO2基底上，沉积Zn2Te3O8靶材，制备电介质薄膜层；e. 将氩气流关闭，对Zn2Te3O8薄膜进行氧气等离子处理；f. 通过真空蒸发，在Zn2Te3O8薄膜层上沉积Cu层，作为上电极，得到 MIM 结构的薄膜电容。
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