[发明专利]一种MIM结构薄膜电容制备工艺

权利要求书

1.一种MIM结构薄膜电容制备工艺，其特征在于，利用氧气等离子处理，进行低温优化，制备工艺步骤如下：

a. 在400℃的温度下，将ZnO₂与TeO₂混合粉末加热，经反应后合成 Zn₂Te₃O₈粉末；

b. Zn₂Te₃O₈粉末控温冷却后，经压制成型，并置于真空干燥箱烘干，制备Zn₂Te₃O₈靶材；

c. 通过真空蒸发，在SiO₂基底上，制备Cu下电极；

d. 利用氩气流和氧气流的射频溅射方法，在沉积了Cu的SiO₂基底上，沉积Zn₂Te₃O₈靶材，制备电介质薄膜层；

e. 将氩气流关闭，对Zn₂Te₃O₈薄膜进行氧气等离子处理；

f. 通过真空蒸发，在Zn₂Te₃O₈薄膜层上沉积Cu层，作为上电极，得到 MIM 结构的薄膜电容。

2.根据权利要求1所述的MIM结构薄膜电容制备工艺，步骤a中，ZnO₂与TeO₂混合粉末质量比为1:1，经过12h机械搅拌进行均匀混合。

3.根据权利要求1所述的MIM结构薄膜电容制备工艺，步骤b中，控温冷却过程为自然冷却至350℃后保温2h，再自然冷却至室温，在15 MPa压力下将Zn₂Te₃O₈粉末压制成型。

4.根据权利要求1所述的MIM结构薄膜电容制备工艺，步骤d中，射频溅射真空度优于10^-3，溅射功率为300W，氩气流与氧气流分别为4mL/min和 3mL/min。

5.根据权利要求1所述的MIM结构薄膜电容制备工艺，步骤e中，氧气等离子功率为100-200W，氧气流量为1-4mL/min。