[发明专利]半导体结构与其制作方法有效
| 申请号： | 201810664093.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108878263B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 亨利·H·阿达姆松;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;霍文娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，形成第一待键合结构和第二待键合结构，第一待键合结构包括牺牲层和预定键合的结构层，结构层和牺牲层形成异质结；步骤S2，向第一待键合结构和/或第二待键合结构施加作用力F并保持预定时间，使得第一待键合结构和第二待键合结构贴合，且结构层与第二待键合结构接触，对第一待键合结构和第二待键合结构进行加热，形成预半导体结构；步骤S3，去除牺牲层，形成半导体结构。该制作方法将应变施加引入到结构层中，形成质量较好的应变的结构层，进而形成性能较好的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，形成第一待键合结构和第二待键合结构，所述第一待键合结构包括牺牲层和预定键合的结构层，所述结构层和所述牺牲层形成异质结；步骤S2，向所述第一待键合结构和/或所述第二待键合结构施加作用力F并保持预定时间，使得所述第一待键合结构和所述第二待键合结构贴合，且所述结构层与所述第二待键合结构接触，对所述第一待键合结构和第二待键合结构进行加热，形成预半导体结构；以及步骤S3，去除所述牺牲层，形成半导体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810664093.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
