[发明专利]半导体结构与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，形成第一待键合结构和第二待键合结构，所述第一待键合结构包括牺牲层和预定键合的结构层，所述结构层和所述牺牲层形成异质结；

步骤S2，向所述第一待键合结构和/或所述第二待键合结构施加作用力F并保持预定时间，使得所述第一待键合结构和所述第二待键合结构贴合，且所述结构层与所述第二待键合结构接触，对所述第一待键合结构和第二待键合结构进行加热，形成预半导体结构；以及

步骤S3，去除所述牺牲层，形成半导体结构，

所述结构层为锗的化合物层，所述锗的化合物层的材料为GeSn、GeSnSi或GeSnSiC，

所述步骤S1中，形成所述第二待键合结构的过程包括：

提供第二硅层；以及

在所述第二硅层的表面上设置氧化硅层，且在所述预半导体结构中，所述氧化硅层与所述结构层接触。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一待键合结构和所述第二待键合结构进行加热与施加所述作用力同时进行。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述预定时间与所述加热的时间相同。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，形成所述第一待键合结构的过程包括：

提供所述牺牲层；以及

在所述牺牲层的表面上设置所述结构层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括第一硅层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，F的方向与所述第一待键合结构的厚度方向相同，且F≥10KN。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一待键合结构和第二待键合结构进行加热的温度在200~1000℃之间，加热的时间在30~240min之间。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的形成过程包括：

在所述第一硅层的一个表面上生长缓冲层，

所述结构层设置在所述缓冲层的远离所述第一硅层的表面上，所述缓冲层的材料的晶格常数的最大值为a₁，所述第一硅层的材料晶格常数为a₂，所述结构层的晶格常数为a₃，且a₂≤a₁≤a₃。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述缓冲层包括锗层。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述结构层为锗层，对所述第一待键合结构和第二待键合结构进行加热的温度在700~900℃之间，加热的时间在120~200min之间。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述结构层为锗的化合物层，对所述第一待键合结构和第二待键合结构进行加热的温度在200~550℃之间，加热的时间在120~200min之间。

12.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1至11中的任一项所述的制作方法制作而成。