[发明专利]一种QFN产品无损开盖方法有效
申请号: | 201810661443.3 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108987290B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 卜君玮 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吕朦 |
地址: | 211800 江苏省南京市浦*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种QFN产品无损开盖方法,将焊锡置于金属板上,金属板置于焊锡炉的加热平台上;升高温度,焊锡液化;将样品放置在金属板的焊锡上,用镊子向下压样品,观察底部周围溢出焊锡,确保样品的电极触点被锡包裹住;降低温度,确认金属板与样品牢固在一起后进行化学开盖作业;将酸溶液滴在样品塑封面上,塑封面发生化学反应起泡;浸入丙酮溶液中清洗,直至能够清晰看到样品的芯片和焊线结构;清洗样品,清洗后风干。本发明将QFN产品处理后可以直接放置试验平台上,进行等同有引脚封装产品的化学开盖;使电极触点保持开盖前的状态;产品内部结构及整体外观不会受到影响;开盖方式简单、易操作,保持手动开盖方式原有的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 qfn 产品 无损 方法 | ||
【主权项】:
1.一种QFN产品无损开盖方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据待开盖的QFN样品的尺寸剪切一块金属板,所述金属板的尺寸大于QFN样品尺寸,并取足量焊锡置于金属板上,QFN样品包括多颗QFN单颗产品,焊锡量由QFN单颗产品的封装面积和颗数决定,取焊锡量=0.05g/mm²*单颗封装面积*颗数,将金属板放置于焊锡炉的加热平台上;(2)将焊锡炉温度调高至250℃~260℃,使焊锡受热液化;(3)将待开盖的QFN样品平稳放置在金属板上,且覆盖在焊锡上,用镊子将QFN样品向下压,观察QFN样品底部周围是否溢出焊锡,若溢出焊锡,确保QFN样品的电极触点被锡包裹住,执行步骤(4);若无焊锡溢出,则重新取样;(4)降低焊锡炉的加热平台温度至80℃~90℃,待样品连同金属板降温至加热器平台温度后,确认焊锡是否将金属板与QFN样品牢固在一起,若金属板与QFN样品牢固在一起,进行化学开盖作业;(5)根据QFN样品的焊线选择酸溶液;(6)将酸溶液一至两滴滴在QFN样品塑封面上,使塑封面发生化学反应起泡,间隔一段时间后浸入丙酮溶液中清洗,然后拿出待丙酮挥发干燥后重复滴酸、清洗过程,直至能够清晰看到QFN样品的芯片和焊线结构;(7)将步骤(6)处理好的QFN样品使用超声波清洗,清洗后风干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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