[发明专利]一种QFN产品无损开盖方法有效
| 申请号: | 201810661443.3 | 申请日: | 2018-06-25 | 
| 公开(公告)号: | CN108987290B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 | 
| 发明(设计)人: | 卜君玮 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 | 
| 代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吕朦 | 
| 地址: | 211800 江苏省南京市浦*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 qfn 产品 无损 方法 | ||
1.一种QFN产品无损开盖方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)根据待开盖的QFN样品的尺寸剪切一块金属板,所述金属板的尺寸大于QFN样品尺寸,并取足量焊锡置于金属板上,QFN样品包括多颗QFN单颗产品,焊锡量由QFN单颗产品的封装面积和颗数决定,取焊锡量=0.05g/mm2*单颗封装面积*颗数,将金属板放置于焊锡炉的加热平台上;
(2)将焊锡炉温度调高至250℃~260℃,使焊锡受热液化;
(3)将待开盖的QFN样品平稳放置在金属板上,且覆盖在焊锡上,用镊子将QFN样品向下压,观察QFN样品底部周围是否溢出焊锡,若溢出焊锡,确保QFN样品的电极触点被锡包裹住,执行步骤(4);若无焊锡溢出,则重新取样,直到下压时QFN样品底部周围溢出焊锡;
(4)降低焊锡炉的加热平台温度至80℃~90℃,待样品连同金属板降温至加热器平台温度后,确认焊锡是否将金属板与QFN样品牢固在一起,若金属板与QFN样品牢固在一起,进行化学开盖作业;
(5)根据QFN样品的焊线选择酸溶液;
(6)将酸溶液一至两滴滴在QFN样品塑封面上,使塑封面发生化学反应起泡,间隔一段时间后浸入丙酮溶液中清洗,然后拿出待丙酮挥发干燥后重复滴酸、清洗过程,直至能够清晰看到QFN样品的芯片和焊线结构;
(7)将步骤(6)处理好的QFN样品使用超声波清洗,清洗后风干。
2.根据权利要求1所述的QFN产品无损开盖方法,其特征在于,所述步骤(1)的金属板为铜板,所述铜板为纯铜且经过100℃烘烤处理。
3.根据权利要求1所述的QFN产品无损开盖方法,其特征在于,步骤(6)中的一段时间为5s~10s。
4.根据权利要求1所述的QFN产品无损开盖方法,其特征在于,步骤(7)中风干的过程使用气枪进行干燥。
5.根据权利要求1所述的QFN产品无损开盖方法,其特征在于,步骤(5)中,若QFN样品的焊线为合金线或金线,则选择使用纯硝酸;若QFN样品的焊线为铜线,则选择使用硝酸和硫酸体积比为3:2的混酸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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