[发明专利]一种低温制备锡纳米晶存储器的方法

摘要

本发明公开了一种低温制备锡纳米晶存储器的方法，采用RCA标准清洗法对硅片进行表面清洗；把重量百分比为61%的HNO₃溶液加热到123℃，然后把清洗好的硅片浸泡在其中；以金属锡靶和SiO₂靶，采用共溅射的方式制备厚度为含锡的SiO₂薄膜；然后在原位退火30min，退火温度为250~300℃；关闭加热电源，使硅片的温度逐渐降低到室温，然后在原位开始利用射频溅射生长Ta₂O₅薄膜；利用掩膜板在Ta₂O₅薄膜以及硅片的反面蒸镀金属铝电极。本发明降低了存储器在制备工艺过程中的热处理温度，提高了存储器的持续微缩能力和高载流子的注入和释放效率。

主权项

1.一种低温制备锡纳米晶存储器的方法，其特征在于：包括以下的步骤：1)清洗硅片，采用RCA标准清洗法对硅片进行表面清洗；2)把重量百分比为61％的HNO3溶液加热到123℃，然后把清洗好的硅片浸泡在其中，时间为30min；3)以金属锡靶和SiO2靶，采用共溅射的方式制备厚度为5.0nm的含锡的SiO2薄膜；然后在原位退火30min，退火温度为250～300℃；4)关闭加热电源，使硅片的温度逐渐降低到室温，然后在原位开始利用射频溅射生长Ta2O5薄膜；5)利用掩膜板在Ta2O5薄膜蒸镀金属铝电极，直径为0.5mm，厚度为300‑500nm，然后在硅片的反面蒸镀厚度为300‑500nm的铝电极。