[发明专利]一种低温制备锡纳米晶存储器的方法在审
| 申请号： | 201810659403.5 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109037220A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;芮哲;陆肖励 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 纳米晶存储器 存储器 低温制备 薄膜 清洗 载流子 制备工艺过程 退火 金属铝电极 重量百分比 热处理 表面清洗 加热电源 金属锡靶 溶液加热 射频溅射 原位退火 逐渐降低 共溅射 掩膜板 微缩 蒸镀 制备 浸泡 释放 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温制备锡纳米晶存储器的方法，其特征在于：包括以下的步骤：
1)清洗硅片，采用RCA标准清洗法对硅片进行表面清洗；
2)把重量百分比为61％的HNO3溶液加热到123℃，然后把清洗好的硅片浸泡在其中，时间为30min；
3)以金属锡靶和SiO2靶，采用共溅射的方式制备厚度为5.0nm的含锡的SiO2薄膜；然后在原位退火30min，退火温度为250～300℃；
4)关闭加热电源，使硅片的温度逐渐降低到室温，然后在原位开始利用射频溅射生长Ta2O5薄膜；
5)利用掩膜板在Ta2O5薄膜蒸镀金属铝电极，直径为0.5mm，厚度为300-500nm，然后在硅片的反面蒸镀厚度为300-500nm的铝电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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