[发明专利]一种孔形成方法在审
| 申请号： | 201810653316.9 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108847387A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 向银松;王猛;揭黎;肖为引;黄竹青;黄海辉;李飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种孔形成方法，包括：提供衬底和设置在所述衬底上的待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀材料层；刻蚀所述第一刻蚀材料层以形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层的间隙内形成辅助掩膜层；以及以所述第一掩膜层以及所述辅助掩膜层为掩膜对所述待刻蚀层进行刻蚀来形成孔。通过采用辅助掩膜层，能够降低每一个步骤对设备和工艺的要求，有利于控制每一步骤中获得的结构的形貌，最终形成的孔具有良好的形貌特征，能避免参考例那样底部尺寸与顶部尺寸有较大差异的情况，而且能改善各个孔的孔径圆度不一致的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 待刻蚀层 辅助掩膜 掩膜层 刻蚀材料 衬底 刻蚀 种孔 形貌 形貌特征 不一致 对设备 掩膜 圆度 参考 | ||
【主权项】：
1.一种孔形成方法，其特征在于，包括：提供衬底和设置在所述衬底上的待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀材料层；刻蚀所述第一刻蚀材料层以形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层的间隙内形成辅助掩膜层；以及以所述第一掩膜层以及所述辅助掩膜层为掩膜对所述待刻蚀层进行刻蚀来形成孔。
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