[发明专利]一种孔形成方法

权利要求书

1.一种孔形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底和设置在所述衬底上的待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀材料层；

刻蚀所述第一刻蚀材料层以形成第一掩膜层；

在所述第一掩膜层的间隙内形成辅助掩膜层；以及

以所述第一掩膜层以及所述辅助掩膜层为掩膜对所述待刻蚀层进行刻蚀来形成孔。

2.如权利要求1所述的孔形成方法，其特征在于，形成所述辅助掩膜层的步骤包括：

形成第二刻蚀材料层，以覆盖所述第一掩膜层和所述待刻蚀层；

在所述第二刻蚀材料层上方形成第三刻蚀材料层；

刻蚀所述第三刻蚀材料层，使得所述第二刻蚀材料层的顶部露出，剩余的所述第三刻蚀材料层作为第三掩膜层；

以所述第三掩膜层为掩膜刻蚀所述第二刻蚀材料层，使得所述第一掩膜层露出；以及

以所述第一掩膜层和所述第三掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第二刻蚀材料层，使得所述待刻蚀层露出，剩余的所述第二刻蚀材料层作为第二掩膜层，

所述第二掩膜层和所述第三掩膜层构成所述辅助掩膜层。

3.如权利要求2所述的孔形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀材料层共形地形成在所述第一掩膜层和所述待刻蚀层上。

4.如权利要求2所述的孔形成方法，其特征在于，

所述第三刻蚀材料层的顶部平坦。

5.如权利要求2所述的孔形成方法，其特征在于，

通过控制覆盖于所述第一掩膜层的侧壁的所述第二刻蚀材料层的厚度来控制所述孔的尺寸。

6.如权利要求1所述的孔形成方法，其特征在于，

对所述待刻蚀层进行刻蚀后，包括去除剩余的所述第一掩膜层以及所述辅助掩膜层的步骤。

7.如权利要求2至5的任一项所述的孔形成方法，其特征在于，

所述第三刻蚀材料层的材料与所述第一刻蚀材料层相同。

8.如权利要求1至6的任一项所述的孔形成方法，其特征在于，

所述衬底为氧化硅层。

9.如权利要求1至6的任一项所述的孔形成方法，其特征在于，

所述待刻蚀层为无定形碳层。

10.如权利要求7所述的孔形成方法，其特征在于，

所述第二刻蚀材料层的材料相对于所述第一刻蚀材料层具有高刻蚀选择比。

11.如权利要求10所述的孔形成方法，其特征在于，

所述第一刻蚀材料层和所述第三刻蚀材料层包含掺氧氮化硅。

12.如权利要求11所述的孔形成方法，其特征在于，

所述第二刻蚀材料层为多晶硅层。