[发明专利]一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台

摘要

本发明公开一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台，适用于半导体湿法刻蚀工艺，包括：支撑结构，支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离，支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴；控温加热装置，连接边缘的气体喷嘴的气体管路，以加热气体管路内的保护气体；喷嘴装置，设置于支撑面的上方，喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管，喷嘴设置于朝向支撑面的一面，液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。有益效果：通过增加控温加热装置，以加热保护气体，改变了晶圆的边缘温度，从而提升晶圆的蚀刻率，改变晶圆的均匀度，保证产品均匀度在可控的安全质量标准之内，减少报废风险。

主权项

1.一种旋转蚀刻装置，适用于半导体湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括：一支撑结构，所述支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；所述待刻蚀的晶圆与所述支撑面之间预设一预定距离，所述支撑面朝向所述待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴；一控温加热装置，连接边缘的所述气体喷嘴的气体管路，以加热所述气体管路内的保护气体；一喷嘴装置，设置于所述支撑面的上方，所述喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管，所述喷嘴设置于朝向所述支撑面的一面，所述液体输送管连接所述喷嘴背向所述支撑面的一端。