[发明专利]一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台

说明书

本发明公开一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台，适用于半导体湿法刻蚀工艺，包括：支撑结构，支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离，支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴；控温加热装置，连接边缘的气体喷嘴的气体管路，以加热气体管路内的保护气体；喷嘴装置，设置于支撑面的上方，喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管，喷嘴设置于朝向支撑面的一面，液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。有益效果：通过增加控温加热装置，以加热保护气体，改变了晶圆的边缘温度，从而提升晶圆的蚀刻率，改变晶圆的均匀度，保证产品均匀度在可控的安全质量标准之内，减少报废风险。

技术领域

本发明涉及半导体湿法刻蚀工艺技术领域，尤其涉及一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台。

背景技术

化学蚀刻装置是利用化学蚀刻法(又称湿法刻蚀)，用化学溶液直接对工件未被保护的部位进行化学腐蚀。

湿法刻蚀机台的旋转刻蚀装置在刻蚀的过程中，晶圆处于高速旋转的状态，用于刻蚀的化学溶液由晶圆的中心向晶圆的边缘均匀分散，随着距离晶圆的中心位置的距离的增加，化学溶液会受到离心力逐渐增大，单位面积内铺展的化学溶液的含量逐渐减小，造成化学溶液的蚀刻率随着半径的增大而逐渐减小，尽管通过液体输送管路的摆动能够使化学溶液向晶圆的边缘扩散，但液体输送管路无法摆动至腔体的最边沿，目前最大位置为晶圆的90％，进而导致旋转蚀刻装置上晶圆边缘蚀刻率低，造成整片晶圆的均匀度较差，在晶圆边缘部分偏厚，使得最终的晶圆产品蚀刻不均匀，从而无法提升整个晶圆的均匀度。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台。

具体技术方案如下：

一种旋转蚀刻装置，适用于半导体湿法刻蚀工艺，其中包括：

一支撑结构，所述支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；

所述待刻蚀的晶圆与所述支撑面之间预设一预定距离，所述支撑面朝向所述待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴；

一控温加热装置，连接边缘的所述气体喷嘴的气体管路，以加热所述气体管路内的保护气体；

一喷嘴装置，设置于所述支撑面的上方，所述喷嘴装置包括一液体喷嘴与一液体输送管，所述液体喷嘴设置于朝向所述支撑面的一面，所述液体输送管连接所述液体喷嘴背向所述支撑面的一端。

优选的，所述支撑面的边缘设有向上的凸缘，所述凸缘用以固定所述待刻蚀的晶圆。

优选的，所述控温加热装置的数量与边缘的所述气体喷嘴的气体管路的数量相对应。

优选的，所述控温加热装置控制所述待刻蚀的晶圆的边缘的温度，高于所述待刻蚀的晶圆的中心位置的温度0-3摄氏度。

优选的，所述控温加热装置套设于连接边缘的所述气体喷嘴的气体管路的外部。

优选的，多个所述气体喷嘴均布于所述支撑面朝向所述待刻蚀的晶圆的周向边缘。

优选的，所述保护气体为氮气。

优选的，还包括一阀门，所述阀门设置于所述液体输送管上。

优选的，还包括一开口向上的腔体，所述支撑结构及所述喷嘴装置设置于所述腔体中，所述液体输送管由所述开口处伸入所述腔体。

一种湿法刻蚀机台，其中包括上述任一所述的旋转蚀刻装置。

本发明的技术方案有益效果在于：通过增加控温加热装置，以加热保护气体，改变了晶圆的边缘温度，从而提升晶圆的蚀刻率，改变晶圆的均匀度，保证产品均匀度在可控的安全质量标准之内，减少报废风险。

附图说明