[发明专利]一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法在审
申请号: | 201810648920.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN108807234A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 王韶平 | 申请(专利权)人: | 安徽舟港新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 傅磊 |
地址: | 246500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法,包括:将硅材料传送至检测区域;检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率,所述类型包括P型、N型;将检测区域内的硅材料的电阻率与电阻率阈值进行比较,根据比较结果及检测区域内的硅材料的类型为P型或N型,将检测区域的硅材料传送至预设出口。如此,同时获取硅材料的类型和电阻率,并按照预设型号和电阻率的要求,将硅材料输送到不同出口进行区别分拣,提高硅材料的分拣效率,同时,提高分拣的自动化,避免人为失误造成的误差。 | ||
搜索关键词: | 硅材料 检测区域 电阻率 分拣 预设 传送 测试 分拣效率 人为失误 出口 自动化 检测 | ||
【主权项】:
1.一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法,其特征在于,包括:S1、将硅材料传送至检测区域;S2、检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率,所述类型包括P型、N型;S3、将检测区域内的硅材料的电阻率与电阻率阈值进行比较,根据比较结果及检测区域内的硅材料的类型为P型或N型,将检测区域的硅材料传送至预设出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造