[发明专利]一种接触孔的清洗方法有效
| 申请号： | 201810635829.7 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108630527B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王欢 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种接触孔的清洗方法以及形成半导体器件接触的方法，通过采用先干后湿的清洗工艺来彻底清除接触孔中的残留氧化物和/或自然氧化物，且不损伤接触孔底部和造成接触孔形貌的改变，因此，金属插塞与接触区之间的接触性能较好，所述半导体器件具有较低的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的清洗方法，包括：采用干法清洗工艺去除所述接触孔中的待去除物的一部分，在所述干法清洗工艺结束后，采用湿法清洗工艺去除所述接触孔中的待去除物的剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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