[发明专利]一种接触孔的清洗方法

权利要求书

1.一种接触孔的清洗方法，包括：

采用干法清洗工艺去除所述接触孔中的待去除物的部分，

在所述干法清洗工艺结束后，采用湿法清洗工艺去除所述接触孔中的待去除物的剩余部分，所述干法清洗工艺去除这一部分所述待去除物多于所述湿法清洗工艺去除的这一部分所述待去除物，且在所述湿法清洗工艺完成后，所述接触孔的形貌基本保持不变，

其中，采用所述干法清洗工艺去除的这一部分待去除物为所述待去除物的第一部分，所述第一部分的厚度为第一厚度，

采用所述湿法清洗工艺去除的这一部分待去除物为所述待去除物的第二部分，所述第二部分的厚度为第二厚度，

所述接触孔的深宽比越大，所述第一厚度与第二厚度之间的比例越小。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一厚度大于所述第二厚度。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一部分与第二部分沿所述接触孔深度方向堆叠构成所述待去除物。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一厚度为所述第二厚度的2至6倍。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述湿法清洗工艺过程中，所采用的清洗剂的浓度越高，所述湿法清洗工艺所持续的时间越短。

6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺持续的时间控制为不超过45s。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述干法清洗工艺的步骤包括：以预定的轰击力度，采用离子轰击的方式轰击所述接触孔的底部，以去除部分所述待去除物，且不损伤所述接触孔的底部。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述待去除物为氧化物，所述氧化物包括所述接触孔的形貌形成后残留在所述接触孔内的残留氧化物和/或在工艺等待中自然生长的自然氧化物。

9.一种形成半导体器件接触的方法，包括：

在具有接触区的半导体衬底上形成层间介质层，

蚀刻所述层间介质层，以形成贯穿所述层间介质层的接触孔，所述接触孔暴露所述接触区，

采用权利要求1-8中任意一所述的清洗方法清洗所述接触孔，

在所述接触孔中填充金属材料，以形成与所述接触区接触的金属插塞。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述接触孔中填充金属材料形成所述金属插塞之前，

在所述接触孔中注入与所述接触区的掺杂类型相同的掺杂剂，以增加所述接触区表面的掺杂浓度。