[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

提供具有蚀刻停止层的存储单元。存储单元包含底部电极设置于基底上方。开关介电质设置于底部电极上方并且具有可变电阻。顶部电极设置于开关介电质上方。侧壁间隔层沿着底部电极、开关介电质和顶部电极的多个侧壁往上延伸。下蚀刻停止层设置于下介电层上方并且衬于侧壁间隔层的外侧壁。下蚀刻停止层是由与侧壁间隔层不同的材料形成，并且保护顶部电极免于制造程序期间的损伤。也提供用于制造存储单元的方法。

主权项

1.一种存储器装置，包括：一底部电极导孔，被一下介电层环绕并且设置于一基底上方；一底部电极，设置于该底部电极导孔上；一开关介电质，设置于该底部电极上方并且具有一可变电阻；一顶部电极，设置于该开关介电质上方；一侧壁间隔层，沿着该底部电极、该开关介电质和该顶部电极的多个侧壁往上延伸；一下蚀刻停止层，设置于该下介电层上方并且衬于该侧壁间隔层的一外侧壁；以及一上介电层，设置于该下蚀刻停止层上并且环绕该侧壁间隔层的一上部；其中该下蚀刻停止层是由与该侧壁间隔层不同的材料形成。