[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一底部电极导孔，被一下介电层环绕并且设置于一基底上方；

一底部电极，设置于该底部电极导孔上；

一开关介电质，设置于该底部电极上方并且具有一可变电阻；

一顶部电极，设置于该开关介电质上方；

一侧壁间隔层，沿着该底部电极、该开关介电质和该顶部电极的多个侧壁往上延伸；

一下蚀刻停止层，设置于该下介电层上方并且衬于该侧壁间隔层的一外侧壁；以及

一上介电层，设置于该下蚀刻停止层上并且环绕该侧壁间隔层的一上部；

其中该下蚀刻停止层是由与该侧壁间隔层不同的材料形成；

其中该底部电极的侧壁对齐该开关介电质的侧壁；并且

其中该下蚀刻停止层和该上介电层的顶表面共平面。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中该下蚀刻停止层是由氮氧化硅形成，以及该侧壁间隔层是由氮化硅形成。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中该侧壁间隔层的一顶表面直接接触该下蚀刻停止层且被该下蚀刻停止层覆盖，以及该侧壁间隔层的该顶表面低于该顶部电极的一顶表面。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中该顶部电极、该侧壁间隔层、该下蚀刻停止层和该上介电层的顶表面共平面。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中该下蚀刻停止层直接接触该上介电层。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中该侧壁间隔层是通过该下蚀刻停止层与该上介电层分开。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中该下蚀刻停止层是由氮氧化硅形成，以及该上介电层是由氧化硅形成。

8.如权利要求1所述的存储器装置，还包括：

一底部金属化线，被一底部层间介电层环绕并且经由该底部电极导孔耦接至该底部电极；以及

一顶部金属化线，通过一顶部层间介电层环绕并且经由一顶部电极导孔电耦接该顶部电极。

9.如权利要求8所述的存储器装置，其中该顶部金属化线和该顶部层间介电层的底表面与该顶部电极和该下蚀刻停止层的顶表面共平面。

10.一种存储器装置的制造方法，包括：

在一基底上方继续地形成并图案化具有不同尺寸的一第一存储单元堆叠和一第二存储单元堆叠，该些存储单元堆叠中的每一个包括一底部电极、在该底部电极上方的一开关介电质、在该开关介电质上方的一顶部电极、以及沿着该第一存储单元堆叠和该第二存储单元堆叠的多个侧壁的一侧壁间隔层；

在该第一和第二存储单元堆叠之间的该基底上方形成一上介电层，并且衬于该第一和第二存储单元堆叠；

在该上介电层上方形成一上蚀刻停止层；

执行一第一化学机械研磨工艺，以露出在该些存储单元堆叠正上方的该上介电层；以及

执行一毯覆蚀刻，以移除该上蚀刻停止层并且以进一步降低该上介电层以及露出该第一和第二存储单元堆叠的该些顶部电极。

11.如权利要求10所述的存储器装置的制造方法，在执行该第一化学机械研磨工艺之前，还包括：

在该上蚀刻停止层上方形成一研磨前驱层；

其中通过该第一化学机械研磨工艺移除在该第一存储单元堆叠和该第二存储单元堆叠正上方的该研磨前驱层的一部分，且在该第一存储单元堆叠和该第二存储单元堆叠之间的该研磨前驱层的一剩余部分具有被该上蚀刻停止层环绕的多个侧壁和底表面。

12.如权利要求11所述的存储器装置的制造方法，还包括：

在执行该第一化学机械研磨工艺之前，对该研磨前驱层执行一干式回蚀刻工艺；

其中该干式回蚀刻工艺具有该研磨前驱层对该上介电层的一蚀刻速率比，其大于6：1。