[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810631260.7 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109427872B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彦廷;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在衬底上方形成FinFET器件的鳍结构。在鳍结构上方形成第一层。在鳍结构上方和第一层上方形成栅极层。可以将栅极层图案化成包裹在鳍结构周围的栅极堆叠件。在第一层上方并且在栅极堆叠件上方形成第二层。实施第一蚀刻工艺以去除第二层的形成在鳍结构上方的部分，第一层在第一蚀刻工艺期间用作蚀刻停止层。实施第二蚀刻工艺以去除第一层的部分以暴露鳍结构的部分。去除第一层的部分基本不影响第二层。在鳍结构的暴露部分上外延生长源极/漏极区。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成FinFET器件的鳍结构；在所述鳍结构上方形成第一层；在所述鳍结构上方且在所述第一层上方形成栅极层；将所述栅极层图案化成包裹在所述鳍结构周围的栅极堆叠件；在所述第一层上方和所述栅极堆叠件上方形成第二层；实施第一蚀刻工艺以去除所述第二层的形成在所述鳍结构上方的部分，其中，在所述第一蚀刻工艺中，在所述第一层和所述第二层之间存在第一蚀刻选择性，从而使得在所述第一蚀刻工艺期间所述第一层用作蚀刻停止层；实施第二蚀刻工艺以去除所述第一层的部分以暴露所述鳍结构的部分，其中，在所述第二蚀刻工艺中，在所述第一层和所述第二层之间存在第二蚀刻选择性，从而使得所述第一层的部分的去除不影响所述第二层；以及在所述鳍结构的暴露部分上外延生长源极/漏极区。
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