[发明专利]高导热氮化硅基片的制造方法在审
| 申请号： | 201810630735.0 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108774066A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 孟丽丽 | 申请（专利权）人： | 威海麒达特种陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人： | 初姣姣 |
| 地址： | 264200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷散热基板制造技术领域，具体的说是一种抗弯强度高、导热率高，特别适用于未来功率电驱动模块的高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于将92.5%‑97.5%的氮化硅陶瓷粉料与2.5%‑7.5%的硝酸镁Mg(NO3)2在工业酒精中充分混合，获得的混合物在N2气压下进行共烧，最高温度800℃，所得物料经搅拌磨24‑48H研细成混合粉料，取混合粉料与氧化镁、三氧化二钇充分混合，获得的物料搅拌并研磨24H，研细成高导热氮化硅基板料，注射成型后进行加压高温脱胶处理，经N2气压力2‑4MPa、最高温度1200℃‑1400℃脱胶，半成品在6‑7MPa氮气压力下，1850℃‑1890℃烧结2‑4小时；然后在5 MPa氮气压力下，退火获得成品，本发明与现有技术相比，具有操作简便，生产效率高，产品性能稳定等显著的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高导热 氮化硅基片 充分混合 氮气压力 混合粉料 研细 制造 退火 陶瓷散热基板 氮化硅基板 氮化硅陶瓷 电驱动模块 三氧化二钇 产品性能 工业酒精 加压高温 生产效率 脱胶处理 物料搅拌 注射成型 烧结 研磨 混合物 导热率 搅拌磨 气压力 硝酸镁 氧化镁 粉料 共烧 抗弯 脱胶 气压 半成品 | ||
【主权项】：
1.一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：配料，将92.5％‑97.5％的氮化硅陶瓷粉料与2.5％‑7.5％的硝酸镁Mg(NO3)2在工业酒精中充分混合，其中氮化硅陶瓷粉料中氮化硅粉体的α相氮化硅含量>94％；步骤2：将步骤1中获得的混合物在N2气压下进行共烧，最高温度800℃；步骤3：将步骤2所得物料经搅拌磨24‑48H研细成混合粉料；步骤4：取步骤3中的混合粉料与氧化镁、三氧化二钇充分混合，其中混合粉料90‑96％、氧化镁(MgO)2‑8％、三氧化二钇(Y2O3)1‑3％；步骤5：将步骤4获得的物料搅拌并研磨24H，研细成高导热氮化硅基板料；步骤6：将步骤5中获得的物料根据产品要求注射成型，然后进行加压高温脱胶处理，经N2气压力2‑4MPa、最高温度1200℃‑1400℃脱胶；步骤7：将步骤6中获得的半成品在6‑7MPa氮气压力下，1850℃‑1890℃烧结2‑4小时；然后在5MPa氮气压力下，1810℃‑1850℃退火3‑4小时，获得成品。
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