[发明专利]高导热氮化硅基片的制造方法

权利要求书

1.一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：配料，将92.5％-97.5％的氮化硅陶瓷粉料与2.5％-7.5％的硝酸镁Mg(NO₃)₂在工业酒精中充分混合，其中氮化硅陶瓷粉料中氮化硅粉体的α相氮化硅含量>94％；

步骤2：将步骤1中获得的混合物在N₂气压下进行共烧，最高温度800℃；

步骤3：将步骤2所得物料经搅拌磨24-48H研细成混合粉料；

步骤4：取步骤3中的混合粉料与氧化镁、三氧化二钇充分混合，其中混合粉料90-96％、氧化镁(MgO)2-8％、三氧化二钇(Y₂O₃)1-3％；

步骤5：将步骤4获得的物料搅拌并研磨24H，研细成高导热氮化硅基板料；

步骤6：将步骤5中获得的物料根据产品要求注射成型，然后进行加压高温脱胶处理，经N₂气压力2-4MPa、最高温度1200℃-1400℃脱胶；

步骤7：将步骤6中获得的半成品在6-7MPa氮气压力下，1850℃-1890℃烧结2-4小时；然后在5MPa氮气压力下，1810℃-1850℃退火3-4小时，获得成品。

2.根据权利要求1所述的一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于步骤1中氮化硅陶瓷粉料与硝酸镁Mg(NO₃)₂的配比为95％的氮化硅陶瓷粉料，以及5％的硝酸镁Mg(NO₃)₂。

3.根据权利要求1所述的一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于所述步骤3中物料研磨细度范围为0.5-0.7μm。

4.根据权利要求1所述的一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于所述步骤4中各组分配比为混合粉料93％、氧化镁MgO 5％、三氧化二钇2％。

5.根据权利要求1所述的一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于所述步骤5中物料研磨细度范围为0.3-0.5μm。

6.根据权利要求1所述的一种高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于步骤1中氮化硅陶瓷粉料中氮化硅粉体的α相氮化硅含量为96.5％，β相氮化硅粉体3.5％。