[发明专利]一种均匀性光伏硅片刻蚀机构在审
申请号: | 201810626895.8 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN108831847A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 殷凤乾 | 申请(专利权)人: | 江苏燕山光伏设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 宋平 |
地址: | 224200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种均匀性光伏硅片刻蚀机构,包括控制终端、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口,控制终端底侧设有进料口,进料口与刻蚀槽固定连接,刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头,刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接,碱洗槽一端与去PSG槽固定连接,去PSG槽一端与分刀式吹干机连接,分刀式吹干机一端设置有出料口,本发明适应性强,表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料,相对于传统的刻蚀系统,本发明通过控制终端收集数据,对收集到的数据进行分析,通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性,有效地提高工作效率,具有良好的经济效益和社会效益,适宜推广使用。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀槽 控制终端 吹干机 碱洗槽 进料口 刀式 刻蚀 喷头 光伏硅片 硅片清洗 出料口 均匀性 刻蚀均匀性 表面刻蚀 工作效率 硅片损伤 均匀系统 均匀性好 刻蚀系统 收集数据 一端设置 传统的 有效地 玻璃 金属 塑料 分析 | ||
【主权项】:
1.一种均匀性光伏硅片刻蚀机构,包括控制终端(1)、进料口(2)、刻蚀槽(3)、硅片清洗喷头(4)、碱洗槽(5)、去PSG槽(6)、分刀式吹干机(7)和出料口(8),其特征在于,所述控制终端(1)底侧设有进料口(2),所述进料口(2)与刻蚀槽(3)固定连接,所述刻蚀槽(3)内安装有硅片清洗喷头(4),所述刻蚀槽(3)一端与碱洗槽(5)固定连接,所述碱洗槽(5)一端与去PSG槽(6)固定连接,所述去PSG槽(6)一端与分刀式吹干机(7)连接,所述分刀式吹干机(7)一端设置有出料口(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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