[发明专利]一种均匀性光伏硅片刻蚀机构

说明书

本发明公开一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括控制终端、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口，控制终端底侧设有进料口，进料口与刻蚀槽固定连接，刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头，刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接，碱洗槽一端与去PSG槽固定连接，去PSG槽一端与分刀式吹干机连接，分刀式吹干机一端设置有出料口，本发明适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本发明通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。

技术领域

本发明涉及一种刻蚀系统，具体为一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，属于半导体技术领域。

背景技术

半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任何一步的工艺出现偏差，都可能会造成电路的性能参数偏离设计值。目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断地比例缩小，集成度不断地提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求，刻蚀，它是半导体制造工艺，微电子制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，目前的刻蚀系统只能调整一个刻蚀参数即刻蚀时间来控制目标值，而不能调整刻蚀的均匀性，导致生产出的产品合格率大大降低，增大生产成本，因此针对上述问题，我们提出了一种均匀性光伏硅片刻蚀机构。

发明内容

本发明提供一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，通过控制终端内设置有刻蚀均匀系统，解决了现有的刻蚀系统刻蚀不均匀的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

本发明提供一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括运行控制器、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口，所述控制终端底侧设有进料口，所述进料口与刻蚀槽固定连接，所述刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头，所述刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接，所述碱洗槽一端与去PSG槽固定连接，所述去PSG槽一端与分刀式吹干机连接，所述分刀式吹干机一端设置有出料口。

作为本发明的一种优选技术方案，所述碱洗槽内设置有所述硅片清洗喷头。

作为本发明的一种优选技术方案，所述去PSG槽内设置有所述硅片清洗喷头。

作为本发明的一种优选技术方案，所述刻蚀槽与所述碱洗槽内设有多种强腐蚀性化学药品。

本发明所达到的有益效果是：

本发明适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本发明通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀性系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。

在附图中：

图1是本发明的结构图图；

图中标号：1、控制终端；2、进料口；3、刻蚀槽；4、硅片清洗喷头；5、碱洗槽；6、去PSG槽；7、分刀式吹干机；8、出料口。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。