[发明专利]硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810618675.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108588840B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;李广卯;武奎;李昊;杨志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B13/00;C01B35/14 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为BaB |
||
| 搜索关键词： | 硫化钡 红外 非线性 光学 晶体 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为BaB2S4，分子量为287.20，非中心对称结构单晶体，晶系为正交晶系，空间群为Cc，晶胞参数a=6.665(3)Å，b=15.727(6)Å，c=6.039(2)Å，β=110.987(4)°，Z=4，单胞体积V=591.0(4)Å3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所，未经中国科学院新疆理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810618675.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用页岩提钒中和渣制备硫酸钙晶须填料的方法
- 下一篇：一种Ag
